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标注的Id电流是MOS芯片的*大常态电流，实际使用时的*大常态电流还要受封装的*大电流限制。因此客户设计产品时的*大使用电流设定要考虑封装的*大电流限制。建议客户设计产品时的*大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
2. 建议在MOS的栅源（G/S）极之间并一个电阻（10K）和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源（G/S）极过压的作用。
3.建议MOS管的开启电压尽量提高，这样MOS管才能充分开启导通，这个时候内阻*小，不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上，中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输
产品应用：
1.LED电源
2.电源（开关电源、UPS电源、通信电等）
3.充电器
4.适配器
5.电源板
6.小家电、家电电源板
7.电动车控制板
8.电动工具
9.电脑主板、显卡
高压MOS场效应管 FCB11N60